莱斯大学和班加罗尔印度科学研究所的科学家发现了一种制造原子级扁平镓的方法，这种方法对纳米级电子学有希望。

印度材料科学家Pulickel Ajayan及其同事的赖斯实验室创造了二维gallenene，一种导电材料的薄膜，是石墨烯对碳的镓。

研究人员表示，这种新型材料被提取成二维形式，似乎具有与硅等半导体结合的亲和力，可以在二维电子器件中实现有效的金属接触。

新材料在Science Advances中引入。

镓是一种熔点低的金属; 与石墨烯和许多其他2-D结构不同，它不能用气相沉积方法生长。此外，镓还具有快速氧化的趋势。虽然早期的石墨烯样品是用胶带从石墨中去除的，但镓层之间的键合对于这种简单的方法来说太强了。

由赖斯的前博士后研究员Vidya Kochat和印度科学研究所的学生Atanu Samanta共同撰写的赖斯团队使用热量代替武力。

研究人员不是采用自下而上的方法，而是通过将其加热到29.7摄氏度(约85华氏度)，低于元素的熔点，从大块镓中逐渐减少。这足以将镓滴到载玻片上。研究人员将一滴二氧化硅压在上面，只抬起几层平坦的gallenene。

他们成功地将gallenene剥离到其他基板上，包括氮化镓，砷化镓，硅树脂和镍。这使他们能够确认特定的gallenene-substrate组合具有不同的电子特性，并表明这些特性可以根据应用进行调整。

“目前的工作利用固体和液体的薄弱界面来分离薄的2-D镓片，”Chandra Sekhar Tiwary说，他在Rice完成项目的首席研究员，之后成为Gandhinagar印度理工学院的助理教授。 ，印度。“对于其他低熔点金属和化合物，可以采用相同的方法。”

据Ajayan称，Gallenene的等离子体和其他性质正在调查中。“近二维金属难以提取，因为这些金属大多是高强度，非层状结构，所以gallenene是一个例外，它可以弥合二维世界对金属的需求，”他说。

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